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NVH4L040N65S3F
MOSFET, N-CH, 650V, 65A, 150DEG C, 446W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L040N65S3F
Code Commande12AJ7263
Gamme de produitSuperFET III FRFET
Fiche technique
351 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 21,650 $ |
| 10+ | 19,600 $ |
| 25+ | 17,550 $ |
| 50+ | 15,500 $ |
| 100+ | 15,380 $ |
| 250+ | 15,240 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
21,65 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L040N65S3F
Code Commande12AJ7263
Gamme de produitSuperFET III FRFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source On State Resistance0.0338ohm
On Resistance Rds(on)0.0338ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd446W
Power Dissipation446W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III FRFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.0338ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
446W
No. of Pins
4Pins
Product Range
SuperFET III FRFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
On Resistance Rds(on)
0.0338ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
446W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits