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NVH4L060N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 47 A, 650 V, 70 mohm, TO-247
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L060N065SC1
Code Commande57AK6427
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance70mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation176W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source On State Resistance
70mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
176W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVH4L060N065SC1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits