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NVH4L160N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L160N120SC1
Code Commande74AH4862
Gamme de produitEliteSiC Series
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L160N120SC1
Code Commande74AH4862
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17.3A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation Pd111W
Power Dissipation111W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Power Dissipation
111W
Product Range
EliteSiC Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.3A
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
111W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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