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NVMFD5C650NLT1G
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFD5C650NLT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant88 semaines
Code Commande
Bobine complète42AC0994
Mise en bobine48AC1748RL
Bandes découpées48AC1748
Votre numéro de pièce
7 298 En Stock
7 298 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 8,350 $ | 8,35 $ |
| Total Prix | 8,35 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,350 $ |
| 50+ | 5,570 $ |
| 100+ | 4,000 $ |
| 250+ | 3,820 $ |
| 500+ | 3,640 $ |
| 1000+ | 3,560 $ |
| 2500+ | 3,490 $ |
| 5000+ | 3,420 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1500+ | 4,230 $ |
| 4500+ | 4,140 $ |
| 7500+ | 4,060 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFD5C650NLT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant88 semaines
Code Commande
Bobine complète42AC0994
Mise en bobine48AC1748RL
Bandes découpées48AC1748
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id111A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel111A
Continuous Drain Current Id P Channel111A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0042ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel125W
Power Dissipation P Channel125W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
111A
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
111A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
125W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
111A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0042ohm
Transistor Case Style
DFN
Power Dissipation N Channel
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVMFD5C650NLT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit