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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS6H818NWFT1G
Code Commande
Bobine complète48AC1430
Mise en bobine48AC1757
Bandes découpées48AC1757
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 310 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,870 $ |
| 10+ | 4,370 $ |
| 25+ | 4,050 $ |
| 50+ | 3,750 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,650 $ |
| 3000+ | 2,490 $ |
| 6000+ | 2,370 $ |
| 12000+ | 2,140 $ |
| 18000+ | 2,050 $ |
| 30000+ | 1,980 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS6H818NWFT1G
Code Commande
Bobine complète48AC1430
Mise en bobine48AC1757
Bandes découpées48AC1757
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id123A
On Resistance Rds(on)0.0031ohm
Drain Source On State Resistance0.0037ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd136W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation136W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0031ohm
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
123A
Drain Source On State Resistance
0.0037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
136W
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVMFS6H818NWFT1G
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits