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NVMYS1D3N04CTWG
MOSFET, N CH, 40V, 252A, LFPAK-4
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMYS1D3N04CTWGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande84AC7308
Votre numéro de pièce
5 257 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,240 $ |
| 10+ | 2,760 $ |
| 25+ | 2,460 $ |
| 50+ | 2,200 $ |
| 100+ | 1,910 $ |
| 250+ | 1,760 $ |
| 500+ | 1,590 $ |
| 1000+ | 1,570 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,24 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMYS1D3N04CTWGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande84AC7308
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id252A
Drain Source On State Resistance1150µohm
On Resistance Rds(on)960µohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd134W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation134W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1150µohm
Transistor Case Style
LFPAK
Power Dissipation Pd
134W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
252A
On Resistance Rds(on)
960µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
134W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit