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NVTJD4001NT1G
MOSFET, AEC-Q101, DUAL NCH, 30V, SOT-363
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTJD4001NT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5886
Mise en bobine14AC4796
Bandes découpées14AC4796
Votre numéro de pièce
1 125 En Stock
1 125 disponibles sur {packagingType}
3 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,702 $ | 3,51 $ |
| Total Prix | 3,51 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,702 $ |
| 10+ | 0,429 $ |
| 25+ | 0,377 $ |
| 50+ | 0,324 $ |
| 100+ | 0,273 $ |
| 250+ | 0,239 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,164 $ |
| 6000+ | 0,144 $ |
| 12000+ | 0,130 $ |
| 18000+ | 0,117 $ |
| 30000+ | 0,107 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTJD4001NT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5886
Mise en bobine14AC4796
Bandes découpées14AC4796
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id250mA
Continuous Drain Current Id N Channel250mA
Continuous Drain Current Id P Channel250mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel272mW
Power Dissipation P Channel272mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
250mA
Continuous Drain Current Id P Channel
250mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
272mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
250mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
272mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVTJD4001NT1G
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit