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NXH010P120MNF1PTG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH010P120MNF1PTG
Code Commande32AK4640
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Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 179,440 $ |
| 5+ | 167,170 $ |
| 10+ | 154,910 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH010P120MNF1PTG
Code Commande32AK4640
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id114A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0105ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation250W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
114A
Drain Source On State Resistance
0.0105ohm
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
250W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NXH010P120MNF1PTG
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits