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NXH011T120M3F2PTHG
SIL CARB MOSFET, HALF BRIDGE, N CHANNEL
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH011T120M3F2PTHGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande86AK5889
Votre numéro de pièce
35 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 162,810 $ |
| 5+ | 156,390 $ |
| 10+ | 149,980 $ |
| 40+ | 146,990 $ |
| 60+ | 143,980 $ |
| 100+ | 140,980 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
162,81 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH011T120M3F2PTHGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande86AK5889
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id91A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins29Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation272W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
91A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
No. of Pins
29Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
272W
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificat de conformité du produit