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NXH100B120H3Q0SG
IGBT Module, Dual, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH100B120H3Q0SG
Code Commande29AK2757
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 90,330 $ |
| 5+ | 88,120 $ |
| 10+ | 85,890 $ |
| 48+ | 79,820 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
90,33 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH100B120H3Q0SG
Code Commande29AK2757
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current61A
DC Collector Current61A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Power Dissipation Pd186W
Power Dissipation186W
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
61A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Power Dissipation
186W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Collector Current
61A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.77V
Power Dissipation Pd
186W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit