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NXH200B100H4F2SG
IGBT Module, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH200B100H4F2SG
Code Commande29AK2758
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 185,050 $ |
| 5+ | 177,450 $ |
| 10+ | 169,850 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
185,05 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH200B100H4F2SG
Code Commande29AK2758
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationPIM
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation93W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT 6 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
PIM
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder Pin
IGBT Technology
IGBT 6 [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
93W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificat de conformité du produit