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NXH350N100H4Q2F2S1G
IGBT Module, Four Pack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH350N100H4Q2F2S1G
Code Commande29AK2762
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
10 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 224,000 $ |
| 5+ | 217,340 $ |
| 10+ | 210,690 $ |
| 25+ | 204,010 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
224,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH350N100H4Q2F2S1G
Code Commande29AK2762
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationFour Pack
Continuous Collector Current303A
Collector Emitter Saturation Voltage1.63V
Power Dissipation592W
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Four Pack
Collector Emitter Saturation Voltage
1.63V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
303A
Power Dissipation
592W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit