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NXH400N100H4Q2F2PG
IGBT Module, Four Pack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH400N100H4Q2F2PG
Code Commande29AK2765
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 278,920 $ |
| 5+ | 274,520 $ |
| 10+ | 270,250 $ |
| 25+ | 265,800 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
278,92 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH400N100H4Q2F2PG
Code Commande29AK2765
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationFour Pack
Continuous Collector Current409A
DC Collector Current409A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Power Dissipation Pd959W
Power Dissipation959W
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1kV
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Four Pack
DC Collector Current
409A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Power Dissipation
959W
Junction Temperature, Tj Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Continuous Collector Current
409A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.77V
Power Dissipation Pd
959W
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit