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NXH40B120MNQ1SNG
Silicon Carbide MOSFET, ThreePack, Three N Channel, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH40B120MNQ1SNG
Code Commande29AK2764
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 25 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 151,600 $ |
| 5+ | 139,520 $ |
| 10+ | 127,440 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
151,60 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH40B120MNQ1SNG
Code Commande29AK2764
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationThreePack
Channel TypeThree N Channel
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins32Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation156W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
ThreePack
Continuous Drain Current Id
44A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
32Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
Three N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
156W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits