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NXH80T120L3Q0S3G
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH80T120L3Q0S3G
Code Commande29AK2770
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
1 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 87,050 $ |
| 5+ | 79,800 $ |
| 10+ | 72,550 $ |
| 48+ | 65,310 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
87,05 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH80T120L3Q0S3G
Code Commande29AK2770
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
DC Collector Current75A
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation188W
Power Dissipation Pd188W
Junction Temperature, Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Continuous Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation Pd
188W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder Pin
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
DC Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation
188W
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits