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QEB363
Infrared Emitter, Subminiature, 940 nm, 12 °, T-3/4 (1.8mm), 8 mW/Sr, 1 µs, 1 µs
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 4 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,219 $ |
| 2500+ | 0,178 $ |
| 10000+ | 0,174 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 2000
Multiple: 1000
438,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantQEB363
Code Commande83C0458
Fiche technique
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity12°
Diode Case StyleT-3/4 (1.8mm)
Radiant Intensity (Ie)8mW/Sr
Rise Time1µs
Fall Time tf1µs
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.6V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max100°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
T-3/4 (1.8mm)
Rise Time
1µs
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
12°
Radiant Intensity (Ie)
8mW/Sr
Fall Time tf
1µs
Forward Voltage VF Max
1.6V
Operating Temperature Max
100°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit