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QSD123
Phototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 3/4 (5mm)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,994 $ |
| 10+ | 0,694 $ |
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| 500+ | 0,429 $ |
| 1000+ | 0,401 $ |
| 2500+ | 0,378 $ |
| 10000+ | 0,337 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantQSD123
Code Commande58K2116
Fiche technique
Wavelength Typ880nm
Viewing Angle24°
Power Consumption100mW
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The QSD123 is a NPN Silicon Infrared Phototransistor is suitable for QED12X/QED22X/QED23X notched emitter. It has 24° narrow reception angle and a daylight filter. Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
- High sensitivity
Applications
LED Lighting
Spécifications techniques
Wavelength Typ
880nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Viewing Angle
24°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit