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10+ | 2,280 $ |
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2520+ | 1,230 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantTIP142G
Code Commande82Y7302
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd125W
Transition Frequency-
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation125W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-247
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-247
DC Current Gain hFE500hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min500hFE
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The TIP142G is a 100V NPN complementary silicon Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. It has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor. The TIP142 (NPN) and TIP147 (PNP) are complementary devices.
- High DC current gain
- 100VDC Minimum collector-emitter sustaining voltage (VCEO (sus))
- 100VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 5VDC Emitter to base voltage (VEBO)
- 1°C/W Thermal resistance, junction to case
- 35.7°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Transition Frequency
-
Power Dissipation
125W
RF Transistor Case
TO-247
Transistor Case Style
TO-247
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
500hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
125W
Continuous Collector Current
10A
DC Collector Current
10A
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE
500hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour TIP142G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit