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TIP31BG.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 50+ | 1,440 $ |
| 100+ | 0,903 $ |
| 500+ | 0,737 $ |
| 1000+ | 0,684 $ |
| 2500+ | 0,639 $ |
| 10000+ | 0,560 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 50
Multiple: 50
72,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantTIP31BG.Copie
Code Commande28AC3895
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation40W
Power Dissipation Pd40W
DC Collector Current3A
DC Current Gain hFE10hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleTO-220AB
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
40W
DC Collector Current
3A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-220AB
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Continuous Collector Current
3A
Power Dissipation Pd
40W
DC Current Gain hFE
10hFE
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit