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UF4C120070K4S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF4C120070K4SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande78AK8906
Votre numéro de pièce
568 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,850 $ |
| 10+ | 12,180 $ |
| 25+ | 11,490 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
12,85 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF4C120070K4SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande78AK8906
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id27.5A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance72mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation217W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
27.5A
Drain Source On State Resistance
72mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
217W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit