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NP100P04PDG-E1-AY
MOSFET, P -CH, 40V, 100A, TO-263
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantNP100P04PDG-E1-AYCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande29AK2729
Votre numéro de pièce
2 092 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,750 $ |
| 10+ | 5,320 $ |
| 25+ | 4,960 $ |
| 50+ | 4,610 $ |
| 100+ | 4,240 $ |
| 250+ | 4,050 $ |
| 500+ | 3,850 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,75 $
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantNP100P04PDG-E1-AYCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande29AK2729
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance3500µohm
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit