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TP65H050G4BS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-263, Surface Mount
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H050G4BSCopie
Code Commande97AK4777
Gamme de produitSuperGaN Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,910 $ |
| 10+ | 14,420 $ |
| 25+ | 14,140 $ |
| 50+ | 13,880 $ |
| 100+ | 13,600 $ |
| 250+ | 13,390 $ |
| 500+ | 13,180 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H050G4BSCopie
Code Commande97AK4777
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Typical Gate Charge16nC
Transistor Case StyleTO-263
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-263
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
34A
Typical Gate Charge
16nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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