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TP65H050G4WS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Through Hole
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H050G4WSCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande97AK4779
Gamme de produitSuperGaN Series
Votre numéro de pièce
560 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,640 $ |
| 10+ | 13,520 $ |
| 25+ | 11,410 $ |
| 50+ | 9,300 $ |
| 100+ | 8,610 $ |
| 250+ | 7,910 $ |
| 500+ | 7,760 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
15,64 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H050G4WSCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande97AK4779
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Typical Gate Charge16nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
34A
Typical Gate Charge
16nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit