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TP65H070G4PS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 85 mohm, 9 nC, TO-220AB, Through Hole
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H070G4PSCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande97AK4783
Gamme de produitSuperGaN Series
Votre numéro de pièce
604 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,550 $ |
| 10+ | 9,840 $ |
| 25+ | 9,060 $ |
| 50+ | 8,260 $ |
| 100+ | 7,760 $ |
| 250+ | 7,310 $ |
| 500+ | 6,860 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
13,55 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H070G4PSCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande97AK4783
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance85mohm
Typical Gate Charge9nC
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
85mohm
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
29A
Typical Gate Charge
9nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit