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TP65H100G4LSGB-TR
GAN TRANSISTOR, 650V, 18.9A, PQFN
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H100G4LSGB-TRCopie
Code Commande26AM1880
Gamme de produitSuperGaN Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,410 $ |
| 10+ | 5,620 $ |
| 25+ | 5,090 $ |
| 50+ | 4,560 $ |
| 100+ | 4,020 $ |
| 250+ | 3,830 $ |
| 500+ | 3,650 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H100G4LSGB-TRCopie
Code Commande26AM1880
Gamme de produitSuperGaN Series
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id18.9A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Typical Gate Charge14.4nC
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
PQFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
18.9A
Typical Gate Charge
14.4nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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