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TP70H150G4LSG-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 14.2 A, 0.18 ohm, 11.3 nC, QFN, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP70H150G4LSG-TR
Code Commande
Mise en bobine26AM1882
Bandes découpées26AM1882
Gamme de produitSuperGaN Series
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500 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,620 $ | 3,62 $ |
| Total Prix | 3,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,620 $ |
| 10+ | 3,190 $ |
| 25+ | 2,920 $ |
| 50+ | 2,650 $ |
| 100+ | 2,300 $ |
| 250+ | 1,820 $ |
| 500+ | 1,730 $ |
| 1000+ | 1,630 $ |
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP70H150G4LSG-TR
Code Commande
Mise en bobine26AM1882
Bandes découpées26AM1882
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id14.2A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Typical Gate Charge11.3nC
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
TP70H150G4LSG-TR is a 700V, 150mohm SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Applications include consumer, power adapters, low power SMPS and lighting.
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Transient over-voltage capability and E-mode gate driver operation without zener protection
- Very low QRR
- Reduced crossover loss
- 2kV HBM ESD rating
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly used gate drivers
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
QFN
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
14.2A
Typical Gate Charge
11.3nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit