0.18ohm Gallium Nitride (GaN) FETs | Newark Électronique Canada

Trouvez une vaste gamme de 0.18ohm Gallium Nitride (GaN) FETs dans Newark Électronique Canada. Nous stockons une large gamme de Gallium Nitride (GaN) FETs, tels que 0.041ohm, 0.17ohm, 0.14ohm & 0.18ohm Gallium Nitride (GaN) FETs provenant des plus grands fabricants mondiaux, notamment : Renesas & Infineon.

Réf. fabricant	Code Commande	Fabricant / Description	Prix pour	Prix	Drain Source Voltage Vds	Continuous Drain Current Id	Drain Source On State Resistance	Typical Gate Charge	Transistor Case Style	Transistor Mounting	No. of Pins	Product Range

TP65H150G4PS	97AK4787 Data Sheet RoHS	RENESAS Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 16 A 0.18 ohm 8 nC TO-220 Through Hole	Each	1+7,950 $ 10+4,660 $ 25+4,550 $ 50+4,450 $ 100+4,340 $ Plus de tarifs	650V	16A	0.18ohm	8nC	TO-220	Through Hole	3Pins	SuperGaN Series
TP70H150G4LSG-TR	26AM1882 Data Sheet RoHS	RENESAS Gallium Nitride (GaN) Transistor 700 V 14.2 A 0.18 ohm 11.3 nC QFN Surface Mount	Each (Supplied on Cut Tape) Bandes découpées	1+3,650 $ 10+3,210 $ 25+2,950 $ 50+2,670 $ 100+2,330 $ Plus de tarifs	700V	14.2A	0.18ohm	11.3nC	QFN	Surface Mount	3Pins	SuperGaN Series
GS0650116LTRXUMA1	42AM5335 RoHS	INFINEON GAN TRANSISTOR 700V 12.2A PDFN	Each (Supplied on Cut Tape) Bandes découpées	1+6,790 $ 10+5,990 $ 25+5,480 $ 50+4,970 $ 100+4,310 $ Plus de tarifs	700V	12.2A	0.18ohm	2.2nC	PDFN	Surface Mount	8Pins	-
GS0650116LRTRXUMA1	42AM5334 RoHS	INFINEON GAN TRANSISTOR 700V 12.2A PDFN	Each (Supplied on Cut Tape) Bandes découpées	1+7,000 $ 10+6,180 $ 25+5,660 $ 50+5,120 $ 100+4,440 $ Plus de tarifs	700V	12.2A	0.18ohm	2.2nC	PDFN	Surface Mount	8Pins	-
TP65H150BG4JSG-TR	97AK4786 Data Sheet RoHS	RENESAS Gallium Nitride (GaN) Transistor 650 V 16 A 0.18 ohm 4.9 nC QFN Surface Mount	Each (Supplied on Cut Tape) Bandes découpées	1+7,720 $ 10+5,130 $ 25+4,650 $ 50+4,150 $ 100+3,660 $ Plus de tarifs	650V	16A	0.18ohm	4.9nC	PQFN	Surface Mount	8Pins	SuperGaN Series