Imprimer la page
TP65H150BG4JSG-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 4.9 nC, QFN, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H150BG4JSG-TRCopie
Code Commande
Mise en bobine97AK4786
Bandes découpées97AK4786
Gamme de produitSuperGaN Series
Votre numéro de pièce
433 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison dans 4-6 jours ouvrables(UK stock)
Consulter les heures limites
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,720 $ | 7,72 $ |
| Total Prix | 7,72 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,720 $ |
| 10+ | 5,130 $ |
| 25+ | 4,650 $ |
| 50+ | 4,150 $ |
| 100+ | 3,660 $ |
| 250+ | 3,450 $ |
| 500+ | 3,240 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H150BG4JSG-TRCopie
Code Commande
Mise en bobine97AK4786
Bandes découpées97AK4786
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Typical Gate Charge4.9nC
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
PQFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
16A
Typical Gate Charge
4.9nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit