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2SK3018T106
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Surface Mount
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FabricantROHM
Réf. Fabricant2SK3018T106Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6756
Mise en bobine40P3488RL
Bandes découpées40P3488
Votre numéro de pièce
57 544 En Stock
57 544 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,446 $ | 0,45 $ |
| Total Prix | 0,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,446 $ |
| 50+ | 0,439 $ |
| 100+ | 0,432 $ |
| 250+ | 0,425 $ |
| 500+ | 0,345 $ |
| 1000+ | 0,268 $ |
| 2500+ | 0,219 $ |
| 5000+ | 0,176 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,118 $ |
| 6000+ | 0,098 $ |
| 12000+ | 0,085 $ |
| 18000+ | 0,079 $ |
| 30000+ | 0,068 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. Fabricant2SK3018T106Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6756
Mise en bobine40P3488RL
Bandes découpées40P3488
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100mA
Drain Source On State Resistance8ohm
On Resistance Rds(on)8ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Power Dissipation Pd200mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2SK3018T106 is a N-channel silicon MOSFET offers 30V drain source voltage and ±100mA continuous drain current. It is suitable for use in interfacing, switching applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- 2.5V Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
Applications
Power Management, Portable Devices, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
200mW
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour 2SK3018T106
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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