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BSM120C12P2C201
Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 134 A, 1.2 kV, Module
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7 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 480,210 $ |
| 5+ | 472,620 $ |
| 10+ | 465,260 $ |
| 36+ | 457,610 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
480,21 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM120C12P2C201
Code Commande88AH6157
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationChopper
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id134A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
On Resistance Rds(on)-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Power Dissipation Pd935W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation935W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Chopper
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
-
No. of Pins
-
Power Dissipation Pd
935W
Power Dissipation
935W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
134A
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits