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BSM120C12P2C201
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 134A, MODULE
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM120C12P2C201
Code Commande88AH6157
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationChopper
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id134A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)-
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Power Dissipation Pd935W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation935W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Chopper
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Power Dissipation Pd
935W
Power Dissipation
935W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
134A
On Resistance Rds(on)
-
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit