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BSM300D12P2E001
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 300 A, 1.2 kV, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 39 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1 017,150 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1 017,15 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM300D12P2E001
Code Commande88AH6165
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
On Resistance Rds(on)-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Power Dissipation Pd1.875kW
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation1.875kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
-
No. of Pins
-
Power Dissipation Pd
1.875kW
Power Dissipation
1.875kW
Product Range
-
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits