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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantBSM400C12P3G202
Code Commande88AH6167
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationChopper
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id400A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)-
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Power Dissipation Pd1.57kW
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation1.57kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
BSM400C12P3G202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1200V drain source voltage (Tj= 25°C), 1200V repetitive reverse voltage (Tj = 25°C)
- G - S voltage range from -4 to 26V (surge<300nsec, D-S short)
- Drain current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
- Source current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
- Forward current (clamp diode) is 400A (DC(Tc = 60°C)
- Total power dissipation is 150W (Tc = 25°C)
- Isolation voltage is 2500Vrms (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1, min)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Chopper
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Power Dissipation Pd
1.57kW
Power Dissipation
1.57kW
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
400A
On Resistance Rds(on)
-
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit