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EM6K34T2CR
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 2.2 ohm
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FabricantROHM
Réf. FabricantEM6K34T2CRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Bobine complète87AK5560
Mise en bobine10AC7125RL
Bandes découpées10AC7125
Votre numéro de pièce
6 898 En Stock
6 898 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,630 $ | 3,15 $ |
| Total Prix | 3,15 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,630 $ |
| 10+ | 0,385 $ |
| 25+ | 0,338 $ |
| 50+ | 0,290 $ |
| 100+ | 0,242 $ |
| 250+ | 0,212 $ |
| 500+ | 0,181 $ |
| 1000+ | 0,160 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 8000+ | 0,146 $ |
| 16000+ | 0,137 $ |
| 32000+ | 0,130 $ |
| 48000+ | 0,126 $ |
| 80000+ | 0,124 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantEM6K34T2CRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Bobine complète87AK5560
Mise en bobine10AC7125RL
Bandes découpées10AC7125
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel200mA
Continuous Drain Current Id P Channel200mA
Drain Source On State Resistance N Channel2.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel150mW
Power Dissipation P Channel150mW
Operating Temperature Max-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
200mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
150mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
50V
Continuous Drain Current Id
200mA
Continuous Drain Current Id N Channel
200mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2.2ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
150mW
Operating Temperature Max
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit