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HS8MA2TCR1
MOSFET, N & P-CH, 30V, 7A, DFN3333
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FabricantROHM
Réf. FabricantHS8MA2TCR1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande91AH7591
Votre numéro de pièce
1 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,440 $ |
| 10+ | 1,550 $ |
| 25+ | 1,380 $ |
| 50+ | 1,200 $ |
| 100+ | 1,030 $ |
| 250+ | 0,919 $ |
| 500+ | 0,809 $ |
| 1000+ | 0,738 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,44 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantHS8MA2TCR1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande91AH7591
Fiche technique
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id7A
Continuous Drain Current Id N Channel7A
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.08ohm
Transistor Case StyleDFN3333
No. of Pins9Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
7A
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.08ohm
No. of Pins
9Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
DFN3333
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit