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IMZ1AT108
Bipolar Transistor Array, Dual, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
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FabricantROHM
Réf. FabricantIMZ1AT108Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Mise en bobine40P3099RL
Bandes découpées40P3099
Votre numéro de pièce
3 330 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,737 $ | 3,68 $ |
| Total Prix | 3,68 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,737 $ |
| 50+ | 0,454 $ |
| 100+ | 0,288 $ |
| 250+ | 0,253 $ |
| 500+ | 0,217 $ |
| 1000+ | 0,193 $ |
| 2500+ | 0,189 $ |
| 5000+ | 0,186 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantIMZ1AT108Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Mise en bobine40P3099RL
Bandes découpées40P3099
Fiche technique
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current NPN150mA
Continuous Collector Current PNP150mA
Power Dissipation NPN300mW
Power Dissipation PNP300mW
DC Current Gain hFE Min NPN120hFE
DC Current Gain hFE Min PNP120hFE
Transistor Case StyleSOT-457
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN180MHz
Transition Frequency PNP140MHz
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IMZ1AT108 is a NPN-PNP general purpose Bipolar Transistor Array with epitaxial planar silicon structure. It has mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Transistor elements are independent, eliminating interference
- Mounting area can be cut in half
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
Applications
Motor Drive & Control, Communications & Networking, Portable Devices, Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Continuous Collector Current PNP
150mA
Power Dissipation PNP
300mW
DC Current Gain hFE Min PNP
120hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
140MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current NPN
150mA
Power Dissipation NPN
300mW
DC Current Gain hFE Min NPN
120hFE
Transistor Case Style
SOT-457
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
180MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit