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QS6K1TR

Name: Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
Brand: ROHM
SKU: 74M4156
Availability: InStock

Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 1 A, 0.364 ohm

Date/Lot Code

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FabricantROHM

Réf. FabricantQS6K1TR

Code Commande74M4156

Fiche technique

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2 664 En Stock

Quantité	Prix
1+	1,310 $
10+	0,811 $
25+	0,729 $
50+	0,647 $
100+	0,565 $
250+	0,512 $
500+	0,458 $
1000+	0,413 $

Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)

Minimum: 5

Multiple: 5

6,55 $

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Informations produit

FabricantROHM

Réf. FabricantQS6K1TR

Code Commande74M4156

Fiche technique

Data Sheet

Channel TypeN Channel

Drain Source Voltage Vds N Channel30V

Continuous Drain Current Id1A

Drain Source Voltage Vds30V

Drain Source Voltage Vds P Channel-

Continuous Drain Current Id N Channel1A

Continuous Drain Current Id P Channel-

Drain Source On State Resistance N Channel0.364ohm

Drain Source On State Resistance P Channel-

Transistor Case StyleTSMT

No. of Pins6Pins

Power Dissipation N Channel900mW

Power Dissipation P Channel-

Operating Temperature Max150°C

Product Range-

Qualification-

MSLMSL 1 - Unlimited

SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

Aperçu du produit

The QS6K1TR is a dual N-channel Complex MOSFET designed as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. It is designed for coin processing machines, portable data terminal, handy and bench type digital multi-meter, PLC, DVR/DVS, POS, electric bike, smart meter, surveillance camera, X-ray inspection machine for security, surveillance camera for network, intercom/baby monitor, fingerprint authentication device, machine vision camera for industrial and display for EMS applications.

Low ON-resistance
Small and surface-mount package
Built-in G-S protection diode
Fast switching performance

Applications

Industrial, Embedded Design & Development, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Power Management

Spécifications techniques

Channel Type

N Channel

Continuous Drain Current Id

Drain Source Voltage Vds P Channel

Continuous Drain Current Id P Channel

Drain Source On State Resistance P Channel

No. of Pins

6Pins

Power Dissipation P Channel

Product Range

MSL

MSL 1 - Unlimited

Drain Source Voltage Vds N Channel

30V

Drain Source Voltage Vds

30V

Continuous Drain Current Id N Channel

Drain Source On State Resistance N Channel

0.364ohm

Transistor Case Style

TSMT

Power Dissipation N Channel

900mW

Operating Temperature Max

150°C

Qualification

SVHC

No SVHC (17-Jan-2023)

Documents techniques (1)

Technical Data Sheet EN

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Législation et Questions environnementales

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme RoHS :Oui

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui