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QS6M3TR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
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FabricantROHM
Réf. FabricantQS6M3TRCopie
Code Commande
Mise en bobine74M4157
Bandes découpées74M4157
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| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,077 $ | 0,08 $ |
| Total Prix | 0,08 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,077 $ |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantQS6M3TRCopie
Code Commande
Mise en bobine74M4157
Bandes découpées74M4157
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.5A
Continuous Drain Current Id P Channel1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.17ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.215ohm
Transistor Case StyleTSMT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
Applications
Industrial, Power Management, Portable Devices, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.215ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.17ohm
Transistor Case Style
TSMT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit