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39 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,150 $ |
| 10+ | 5,310 $ |
| 25+ | 4,950 $ |
| 50+ | 4,620 $ |
| 100+ | 4,260 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantR6020ENZ4C13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant25 semaines
Code Commande15AJ3159
Gamme de produitR6xxxENx
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.196ohm
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation231W
Power Dissipation Pd231W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeR6xxxENx
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.196ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
231W
No. of Pins
3Pins
Product Range
R6xxxENx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
231W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit