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RD3G03BBGTL1
MOSFET, N-CH, 40V, 65A, TO-252
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FabricantROHM
Réf. FabricantRD3G03BBGTL1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine61AK9996RL
Bandes découpées61AK9996
Votre numéro de pièce
61 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,510 $ | 3,51 $ |
| Total Prix | 3,51 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,510 $ |
| 50+ | 2,270 $ |
| 100+ | 1,560 $ |
| 250+ | 1,410 $ |
| 500+ | 1,260 $ |
| 1000+ | 1,170 $ |
| 2500+ | 1,140 $ |
| 5000+ | 1,120 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRD3G03BBGTL1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine61AK9996RL
Bandes découpées61AK9996
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source On State Resistance6500µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
6500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit