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RD3G07BATTL1
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 70 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 963 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,760 $ |
| 10+ | 2,350 $ |
| 25+ | 2,190 $ |
| 50+ | 2,010 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
18,80 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRD3G07BATTL1
Code Commande22AJ0390
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance5700µohm
On Resistance Rds(on)0.0057ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd101W
Power Dissipation101W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
5700µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
101W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
70A
On Resistance Rds(on)
0.0057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
101W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour RD3G07BATTL1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits