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RQ3E100GNTB
MOSFET, N-CH, 30V, 21A, HSMT-8
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FabricantROHM
Réf. FabricantRQ3E100GNTBCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande10AC8917
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,110 $ |
| 10+ | 0,682 $ |
| 25+ | 0,600 $ |
| 50+ | 0,520 $ |
| 100+ | 0,438 $ |
| 300+ | 0,387 $ |
| 500+ | 0,334 $ |
| 1000+ | 0,299 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,55 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRQ3E100GNTBCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande10AC8917
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.0117ohm
On Resistance Rds(on)0.0089ohm
Transistor Case StyleHSMT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd15W
Power Dissipation15W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0117ohm
Transistor Case Style
HSMT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
15W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
On Resistance Rds(on)
0.0089ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
15W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit