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RQ3E120ATTB
MOSFET, P-CH, -30V, -39A, HSMT
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
6 263 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,600 $ |
| 10+ | 1,010 $ |
| 25+ | 0,887 $ |
| 50+ | 0,773 $ |
| 100+ | 0,658 $ |
| 250+ | 0,584 $ |
| 500+ | 0,509 $ |
| 1000+ | 0,462 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,60 $
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRQ3E120ATTB
Code Commande10AC8918
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source On State Resistance8000µohm
On Resistance Rds(on)0.0061ohm
Transistor Case StyleHSMT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd20W
Power Dissipation20W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Case Style
HSMT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
20W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
39A
On Resistance Rds(on)
0.0061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits