Imprimer la page
RY7P250BMTBC
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 300 A, 1860 µohm, DFN8080, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantROHM
Réf. FabricantRY7P250BMTBCCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine29AM7268RL
Bandes découpées29AM7268
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 12,840 $ | 12,84 $ |
| Total Prix | 12,84 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,840 $ |
| 50+ | 8,880 $ |
| 100+ | 6,650 $ |
| 250+ | 6,620 $ |
| 500+ | 6,590 $ |
| 1000+ | 6,460 $ |
| 2500+ | 6,320 $ |
| 5000+ | 6,190 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRY7P250BMTBCCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine29AM7268RL
Bandes découpées29AM7268
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source On State Resistance1860µohm
Transistor Case StyleDFN8080
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation340W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
RY7P250BMTBC is a wide-SOA power MOSFET. It is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).
- Low on - resistance, high power package
- 100% Rg and UIS tested
- Drain - source breakdown voltage is 100V min at VGS = 0V, ID = 1mA, Ta = 25°C
- Breakdown voltage temperature coefficient is 58.4mV/°C typ at ID = 1mA, referenced to 25°C
- Gate - source leakage current is ±500nA max at VGS = ±20V, VDS = 0V, Ta = 25°C
- Static drain - source on - state resistance is 1.43mohm typ at VGS = 10V, ID = 50A
- Total gate charge is 170nC typ at VDD ⋍ 50V, ID = 50A, VGS = 10V
- Power dissipation is 340W at Ta = 25°C
- DFN8080-8S package
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
Transistor Case Style
DFN8080
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
340W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1860µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit