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SCT3080ALHRC11
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 17,780 $ |
| 10+ | 17,130 $ |
| 25+ | 17,130 $ |
| 50+ | 17,130 $ |
| 100+ | 17,110 $ |
| 250+ | 17,110 $ |
| 900+ | 17,110 $ |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantSCT3080ALHRC11
Code Commande02AH4685
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation134W
Power Dissipation Pd134W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Power Dissipation Pd
134W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-247N
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
134W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit