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UM6K34NTCN
Dual MOSFET, Dual N Channel, 50 V, 200 mA, 2.2 ohm
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FabricantROHM
Réf. FabricantUM6K34NTCNCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6574
Mise en bobine10AC9330RL
Bandes découpées10AC9330
Votre numéro de pièce
8 948 En Stock
8 948 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,630 $ | 3,15 $ |
| Total Prix | 3,15 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,630 $ |
| 10+ | 0,385 $ |
| 25+ | 0,338 $ |
| 50+ | 0,290 $ |
| 100+ | 0,242 $ |
| 250+ | 0,212 $ |
| 500+ | 0,181 $ |
| 1000+ | 0,160 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,121 $ |
| 6000+ | 0,114 $ |
| 12000+ | 0,107 $ |
| 18000+ | 0,102 $ |
| 30000+ | 0,094 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantUM6K34NTCNCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6574
Mise en bobine10AC9330RL
Bandes découpées10AC9330
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel200mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel2.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel150mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
50V
Continuous Drain Current Id
200mA
Continuous Drain Current Id N Channel
200mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2.2ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit