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SEMIX 604GB12E4S
IGBT Module, Dual, 916 A, 1.8 V, 175 °C, SEMiX 4s
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 447,920 $ |
| 5+ | 441,650 $ |
| 10+ | 435,390 $ |
| 25+ | 410,330 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 4
Multiple: 4
1 791,68 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX 604GB12E4S
Code Commande50R4465
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityDual N Channel
Continuous Collector Current916A
DC Collector Current916A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleSEMiX 4s
IGBT TerminationPress Fit
No. of Pins24Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual
Continuous Collector Current
916A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
916A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Transistor Case Style
SEMiX 4s
No. of Pins
24Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit