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SEMIX302GB12E4S
IGBT Module, Dual, 463 A, 1.8 V, 125 °C, Module
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FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX302GB12E4SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande77R2112
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6+ | 321,510 $ |
| 10+ | 314,880 $ |
| 25+ | 311,560 $ |
| 50+ | 308,240 $ |
| 100+ | 294,990 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 6
Multiple: 6
1 929,06 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX302GB12E4SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande77R2112
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityDual NPN
DC Collector Current463A
Continuous Collector Current463A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
463A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
Transistor Polarity
Dual NPN
Continuous Collector Current
463A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificat de conformité du produit