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SEMIX303GB12E4S
IGBT Module, Dual, 466 A, 1.8 V, 125 °C, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 266,530 $ |
| 10+ | 259,130 $ |
| 25+ | 255,420 $ |
| 50+ | 251,730 $ |
| 100+ | 236,920 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 6
Multiple: 6
1 599,18 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX303GB12E4S
Code Commande77R2118
Fiche technique
Transistor PolarityDual NPN
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current466A
DC Collector Current466A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual NPN
Continuous Collector Current
466A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Product Range
-
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
466A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificat de conformité du produit