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SEMIX603GB066HDS
IGBT Module, Dual, 720 A, 1.85 V, 40 W, 175 °C, SEMiX 3
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 308,170 $ |
| 10+ | 303,800 $ |
| 25+ | 286,320 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 6
Multiple: 6
1 849,02 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSEMIX603GB066HDS
Code Commande16M0124
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current720A
DC Collector Current720A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.9V
Power Dissipation Pd40W
Power Dissipation40W
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1V
Transistor Case StyleSEMiX 3
No. of Pins20Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1V
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
720A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
40W
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1V
No. of Pins
20Pins
Collector Emitter Voltage Max
1V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
720A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.9V
Power Dissipation
40W
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Transistor Case Style
SEMiX 3
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit