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SKIIP 27MLI07E3V1
IGBT Module, 110 A, 1.45 V, 175 °C, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 50+ | 159,260 $ |
| 100+ | 152,420 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 72
Multiple: 72
11 466,72 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKIIP 27MLI07E3V1Copie
Code Commande86W0647
Fiche technique
IGBT Configuration-
Transistor PolarityQuad NPN
DC Collector Current110A
Continuous Collector Current110A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
-
DC Collector Current
110A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
-
Product Range
-
Transistor Polarity
Quad NPN
Continuous Collector Current
110A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit